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摘要:
概述了采用电子束辐照制作光波导技术的研究历史,给出电子辐照对SiO2产生作用的机理、样品中原子错位的阈值、电子辐照深度的计算方法,分析了不同能量电子辐照产生折射率变化的原因,给出了低能电子辐照导致SiO2折射率变化的计算及测量方法,介绍了用电子束辐照制作光波导的进展.
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文献信息
篇名 电子束辐照制作光波导技术研究进展
来源期刊 传感器与微系统 学科 工学
关键词 电子辐照 光波导 二氧化硅
年,卷(期) 2007,(7) 所属期刊栏目 综述与评论
研究方向 页码范围 4-6
页数 3页 分类号 TN256
字数 3040字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-9787.2007.07.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王政平 哈尔滨工程大学理学院 92 841 16.0 24.0
2 张玉宝 黑龙江省科学院技术物理研究所 49 139 6.0 8.0
3 张国生 哈尔滨工程大学理学院 20 63 5.0 6.0
7 王成 哈尔滨工程大学理学院 23 128 7.0 10.0
8 马任德 哈尔滨工程大学理学院 4 17 3.0 4.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
电子辐照
光波导
二氧化硅
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
传感器与微系统
月刊
1000-9787
23-1537/TN
大16开
哈尔滨市南岗区一曼街29号
14-203
1982
chi
出版文献量(篇)
9750
总下载数(次)
43
总被引数(次)
66438
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