Cu掺杂的NiO的制备及其超级电容器性能

• 作者: 俞燕青 吴悦 周益明 唐亚文 张黎 戴跃华 沈涛 陆天虹
• 来源期刊: 南京师大学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: NiO 铜掺杂 超级电容器 低热固相反应
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 化学
• 页码范围: 57-60
• 页数: 4页
• 分类号: O614.81+3
• 字数: 2774字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4616.2007.01.011

摘要

采用低热固相反应法合成掺杂Cu的Ni(OH)2,将其在300℃下热处理得到相应的NiO.电化学测试表明:掺杂量为n(Ni):n(Cu)=100:0.25时,NiO电极的比容量最高,为99～120 F/g,具有良好的充放电性能,而不掺杂的只有83～111 F/g,因此掺杂Cu有利于提高NiO的电化学性能.