分子束外延P型Hg(1-x)CdxTe少子寿命的研究

• 作者: 乔怡敏 于梅芳 何力 傅祥良 吴俊 巫艳 王伟强 陈路 魏青竹
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe P型材料 As掺杂 μ-PCD 少子寿命
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 385-389
• 页数: 5页
• 分类号: TM43
• 字数: 2428字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.02.032

摘要

本文利用μ-PCD载流子寿命测量系统,对采用MBE方法生长的Hg空位型中波HgCdTe P型材料和原位As掺杂激活中波P型材料的少子寿命进行了测量,并对材料的少子寿命与温度、载流子浓度的依赖关系进行了研究.结果发现,Hg空位型HgCdTe材料,在非本征区范围内,SRH再结合机制起主要作用;在本征区域,Auger再结合和Radiative再结合机制起主要作用.通过拟和得到,低温下作为SRH再结合中心的汞空位能级位置在离价带顶30meV处,有着类受主的性质,起库仑吸引作用,限制了材料的少子寿命.As掺杂P型材料的少子寿命与同载流子浓度Hg空位为主的P型材料少子寿命相比,大了一个数量级.这就决定了As掺杂P型材料制成的红外探测器件比Hg空位P型材料的探测率高,因此这种材料更适合做多色红外焦平面列阵探测器.