MgO和Si上NbN超薄薄膜的生长研究

• 作者: 吴培亨 康琳 昌路 李阳斌
• 来源期刊: 低温与超导
• 学科: 工学
• 关键词: NbN 超薄薄膜 外延生长
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 超导技术
• 页码范围: 498-500,508
• 页数: 4页
• 分类号: TM2
• 字数: 2336字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7100.2007.06.012

摘要

我们在单晶MgO (100)、Si (100)和SiOx/Si基片上成功生长了纳米厚度的超薄NbN薄膜,利用现代分析手段:X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)等技术分析研究了所制备的超薄NbN薄膜的微观结构、厚度、表面界面情况等物理特性.研究表明,在MgO (100)基片上获得了外延生长的单晶NbN超薄薄膜,在Si (100)和SiOx/Si基片上获得的是多晶NbN超薄薄膜.厚度均约6nm左右.这些超薄薄膜的超导转变温度分别为:MgO上薄膜是14.46K,Si和SiOx上薄膜分别是8.74K和9.01K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴培亨	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	93	237	8.0	12.0
2	昌路	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	4	2	1.0	1.0
3	康琳	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	57	212	8.0	12.0
4	李阳斌	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	1	1	1.0	1.0