AlN薄膜体声波谐振器性能分析

• 作者: 吴小鹏 张凯 胡光 胡宽 顾豪爽
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 薄膜体声波谐振器 氮化铝 背空腔型 Mason模型
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 44-46
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 2151字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.11.014

摘要

采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型AlN薄膜体声波谐振器.研究了压电层、上电极及支撑层厚度对谐振器性能的影响.测试结果表明,谐振器所用AlN压电薄膜具有(002)择优取向,器件频率特性良好.当上电极、压电层、底电极和支持层的厚度分别为110,2 600,110,200 nm时,谐振频率为1.759 GHz,机电耦合系数3.75%,品质因数79.5.结合Mason等效电路模型模拟分析与实验结果,分析了各层厚度对频率特性的影响机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾豪爽		2	7	1.0	2.0
2	胡宽		2	7	1.0	2.0
3	胡光		1	6	1.0	1.0
4	张凯		1	6	1.0	1.0