ns脉冲诱导细胞内电处理机理的研究进展

• 作者: 姚陈果 孙才新 李成祥 米彦 莫登斌
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 生物学
• 关键词: 纳秒脉冲电场 细胞内电处理 跨膜电位 计算模型 机理
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 生物、医学应用研究
• 页码范围: 101-105
• 页数: 5页
• 分类号: Q64
• 字数: 3707字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6520.2007.02.024

摘要

脉宽为ns级、场强≥10 kV/cm的脉冲电场能够对细胞内部结构产生影响而不会导致细胞外膜穿孔,即细胞内电处理效应.尽管细胞内电处理效应的机理目前还不是很清楚,但国内外学者一致认为细胞内电处理的根本原因是ns脉冲电场在细胞内膜上诱导出的跨膜电位超过了穿孔临界值,从而导致内膜穿孔.基于以上研究详细介绍了目前关于细胞内外膜跨膜电位的计算模型、方法及仿真计算结果,探讨了细胞内电处理的机理.宽脉冲电场难以透过外膜进入细胞内部,主要作用在外膜上,导致外膜发生电穿孔.随着脉冲宽度变小,电场对内膜作用增强.当脉宽减小到ns级时,脉冲电场感应出的内膜跨膜电位比外膜大,电场主要作用于膜内细胞器,诱导内膜穿孔,细胞结构和功能改变,即进行细胞内电处理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙才新	重庆大学高电压与电工新技术教育部重点实验室	379	13536	63.0	93.0
2	姚陈果	重庆大学高电压与电工新技术教育部重点实验室	179	2370	24.0	37.0
3	莫登斌	重庆大学高电压与电工新技术教育部重点实验室	9	95	6.0	9.0
4	李成祥	重庆大学高电压与电工新技术教育部重点实验室	81	867	16.0	24.0
5	米彦	重庆大学高电压与电工新技术教育部重点实验室	95	1179	19.0	29.0