沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响

• 作者: 卢景霄 杨仕娥 谷锦华 郜小勇 陈永生
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 氢化微晶硅薄膜 拉曼散射谱 晶化率 UV分光光度计
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4122-4126
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 2710字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.080

摘要

采用PECVD技术,在玻璃衬底上沉积μc-Si:H薄膜.用拉曼光谱、SEM和UV分光光度计对不同沉积温度下沉积的薄膜的结构特性进行分析.研究发现:沉积温度较低时,随着沉积温度的升高,薄膜的晶化率增加;当沉积温度超过某一温度值时,随着温度的进一步升高,薄膜的晶化率降低.这时,表面反应由表面扩散限制转变为流量控制.该温度值随着硅烷含量的降低而降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谷锦华	郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室	25	103	6.0	8.0
2	郜小勇	郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室	52	301	10.0	14.0
3	陈永生	郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室	67	484	11.0	19.0
4	杨仕娥	郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室	68	513	12.0	18.0
5	卢景霄	郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室	100	570	12.0	17.0