先进的小尺寸金属栅CMOS工艺开发

• 作者: 涂继云 苏巍
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: TCAD 工艺模拟 器件模拟 金属栅CMOS
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 36-38,48
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 1419字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2007.01.009

摘要

利用校准之后工艺模拟软件TSUPREM-4和器件模拟软件MEDICI,采用工艺模拟与实际工艺流片相结合的方法对沟道尺寸为0.8μm～2μm之间的金属铝栅CMOS进行器件模拟、试验及分析,提出了相应的工艺及改进措施,确定了器件的结构、工艺等参数,提出了一个可行的工艺流程.通过对晶体管部分特征参数和电学特性的详细分析,最终获得了满意的设计参数和性能.同时通过对在此工艺平台下的各种端口的ESD保护结构进行试验与分析,找出满足2kVHBM模式的ESD保护结构与设计规则.