HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(下)

• 作者: 何波 史衍丽 徐静
• 来源期刊: 红外
• 学科: 物理学
• 关键词: HgCdTe MIS器件 表面钝化 界面电学特性
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 1891字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-8785.2007.01.005

摘要

介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTe MIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤.研究表明,自身阳极硫化+单层ZnS对HgCdTe的表面钝化已经达到光伏焦平面器件表面钝化的各项要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何波	昆明理工大学光电子新材料研究所	8	36	3.0	5.0
5	史衍丽		41	372	8.0	18.0
6	徐静	济南大学材料学院	27	164	8.0	11.0