采用InALGaN系列材料开发紫外短波高亮度LED

• 作者: 李桂林（译）
• 来源期刊: 显示器件技术
• 学科: 工学
• 关键词: 紫外线光源 高亮度LED 材料开发 短波 半导体 波段
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 28-34
• 页数: 7页
• 分类号: TN92

摘要

1．前言 波长250～350nm波段的半导体紫外线光源（LD·LED），可望在广泛领域得以应用，有比较高的实现期待值。