90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响

• 作者: 刘明 张庆钊 朱效立 李兵 谢长青
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体 鞘层理论 干法刻蚀 朗谬尔探针
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1611-1614
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.99
• 字数: 2778字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.10.023

摘要

通过实验对适用于90nm多晶硅栅刻蚀工艺中过刻蚀阶段等离子体的性质进行了研究分析.实验采用满足200mm硅晶片刻蚀的电感耦合多晶硅刻蚀设备,借助等离子体分析仪器(朗缪尔探针)进行实验数据测定,得到了等离子体性质与功率、气体流量等外部参数的关系.实验表明在射频功率增加的过程中,能量耦合系数处于一个相对稳定的常值;当等离子体处于局部加热状态时,绝大部分的电子处于附着状态,维持等离子体的电子数目相对减少.等离子体中的射频能量耦合空间随着射频功率的增加,分布状态会变得更加一致化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	207	1983	20.0	38.0
2	李兵	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	79	708	16.0	24.0
3	朱效立	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	19	86	6.0	8.0
4	张庆钊	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	5	13	2.0	3.0
5	谢长青	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	1	4	1.0	1.0