GaAs FET功率放大器温度补偿的设计

• 作者: 霍年鑫
• 来源期刊: 低温与超导
• 学科: 工学
• 关键词: 温度补偿 热敏电阻 衰减器 功率放大器
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 其它
• 页码范围: 352-354
• 页数: 3页
• 分类号: TN7
• 字数: 1320字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7100.2007.04.022

摘要

介绍了GaAs FET功率放大器温度补偿的基本原理,分析了GaAs FET功率放大器的增益随温度变化的原因,并给出了解决方法.此方法还可移植到其他类似需要温度补偿的放大器中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	霍年鑫	中国电子科技集团公司第十六研究所	3	5	1.0	2.0