高Al组分AlGaN肖特基二极管研制

• 作者: 丁嘉欣 司俊杰 张亮 张向锋 成彩晶 赵鸿燕 陈慧娟
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN 肖特基二极管 理想因子 势垒高度
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 570-572
• 页数: 3页
• 分类号: TN213
• 字数: 1666字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.10.004

摘要

制备了高Al组分AlxGal-xN肖特基二极管(x≥0.4),并且研究了该二极管在退火前后I-V特性的变化.计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度.退火后势垒高度由0.995 eV提高到1.1689 eV,理想因子由1.699增大为1.934,器件的接触特性得到改善,在-5V时,暗电流密度减小为1.025×10-6 A/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	司俊杰		33	160	7.0	11.0
2	张亮		15	48	4.0	5.0
3	赵鸿燕		25	147	7.0	11.0
4	张向锋		9	19	3.0	3.0
5	丁嘉欣		13	43	3.0	6.0
6	成彩晶		12	22	3.0	3.0
7	陈慧娟		4	19	2.0	4.0