p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性

• 作者: 廖辉 张国义 杨子文 杨志坚 潘尧波 王彦杰 章蓓 胡成余 胡晓东
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: p-GaN 传输线 镜像力 Ni/Au电极
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 372-375
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.4
• 字数: 2725字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.094

摘要

运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析,进一步得出势垒高Φb=0.41eV,受主浓度Na=4×1019cm-3,能带弯曲Vi=0.26V,和EF-Ev:0.15eV.这些结果与理论值和其他实验结果符合得很好.