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摘要:
描述了固态微波器件与电路五个发展阶段,并重点就当前发展的InP HEMT、窄禁带材料HEMT和HBT、宽禁带材料MESFET和HEMT、RF CMOS、InP HBT、SiGe HBT、RF MEMS等七个领域的发展特点、2006年最新进展,以及未来发展趋势进行了介绍.并就我国发展固态微波器件与电路提出发展建议.
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文献信息
篇名 固态微波器件与电路的新进展
来源期刊 中国电子科学研究院学报 学科 工学
关键词 固态微波 异质结场效应晶体管 异质结双极晶体管
年,卷(期) 2007,(4) 所属期刊栏目 综述
研究方向 页码范围 329-335
页数 7页 分类号 TN401
字数 9003字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-5692.2007.04.001
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵正平 46 197 7.0 12.0
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研究主题发展历程
节点文献
固态微波
异质结场效应晶体管
异质结双极晶体管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
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北京市海淀区万寿路27号电子大厦电科院学报1313房间
2006
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