负电子亲和势氮化镓光电阴极

• 作者: 戴丽英 李慧蕊 申屠军 马建一
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 超高真空 激活 负电子亲和势 GaN光电阴极 紫外敏感 光电探测
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 73-77
• 页数: 5页
• 分类号: O462.3
• 字数: 5131字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-488X.2007.02.001

摘要

负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景.本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺.指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在于材料的生长、与输入光窗的融焊、衬底的减薄及彻底的去气处理和超高真空状态下的铯、氧激活.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴丽英	中国电子科技集团公司第五十五研究所	11	53	4.0	7.0
2	申屠军	中国电子科技集团公司第五十五研究所	5	44	3.0	5.0
3	李慧蕊	中国电子科技集团公司第五十五研究所	5	57	4.0	5.0
4	马建一	中国电子科技集团公司第五十五研究所	5	34	3.0	5.0