非掺杂InP中深陷阱与载流子的产生和输运的影响

• 作者: Jarasiunas K Kadys A Sudzius M 周晓龙 孙同年 孙聂枫 张伟玉 杨瑞霞
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磷化铟 四波混频 深陷阱 载流子输运
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 24-27
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 823字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.005

摘要

利用四波混频(FWM)技术对未掺杂双面抛光的InP晶片进行了测试分析.室温下在1064nm用时间分辨皮秒四波混频技术测试了材料的载流子的产生、复合、衰减动力学以及曝光特性等过程.阐明了InP中深陷阱在载流子的产生与输运中的作用,并给予了解释.未掺杂InP样品的衍射效率作为能量函数可用两个光栅周期来表达.未掺杂InP样品中的深施主缺陷也由空间电荷载流子的输运过程来证实.