室温无反应磁控溅射法制备ZAO导电薄膜及其特性研究

• 作者: 任明放 成钢 王华 许积文
• 来源期刊: 电工材料
• 关键词: 直流磁控溅射 ZAO薄膜 电阻率 透光率
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究·分析·实验
• 页码范围: 15-18
• 页数: 4页
• 分类号: TM205.1|O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-8887.2007.02.004

摘要

以氧化铝(Al2O3)掺杂的ZnO陶瓷靶材为基础,室温下采用无氧直流磁控溅射法在载玻片衬底上制备了ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了不同的Al2O3掺杂量对薄膜微观结构、电阻率和透光率性能的影响.结果表明:掺杂量大于1%(质量分数,下同)的薄膜均呈c轴择优取向生长,薄膜致密无裂纹,具有光滑表面;掺杂量对薄膜的电阻率影响显著,当掺杂量为3%时,薄膜的电阻率最小,仅为7.4×10-3Ω·cm;掺杂量对薄膜的透光性无明显影响,不同掺杂量的薄膜在可见光区的平均透光率接近90%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任明放	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	29	138	6.0	10.0
2	王华	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	98	463	13.0	17.0
3	许积文	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	68	171	6.0	10.0
4	成钢	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	49	121	5.0	9.0