电荷耦合器件辐射效应理论分析与模拟试验方法研究

• 作者: 刘敏波 周辉 唐本奇 张勇 王祖军 肖志刚 陈伟 黄绍艳
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: CCD 辐射效应 理论分析 模拟试验
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1481-1484
• 页数: 4页
• 分类号: TN99
• 字数: 2630字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2007.08.012

摘要

分析了CCD电离效应和位移损伤机理,建立了一种国产埋沟CCD器件物理模型,实现了CCD信号电荷动态转移过程的数值模拟,计算了1MeV、14MeV中子引起的CCD电荷转移效率的变化规律.建立了线阵CCD辐照效应离线测量系统,实现了CCD辐射敏感参数测试.利用Co-60γ源和反应堆脉冲中子,开展了商用器件总剂量和中子位移损伤效应模拟试验,在不同辐照条件下,给出了暗电流信号、饱和电压信号、电荷转移效率以及像元不均匀性的变化情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周辉		84	938	16.0	26.0
2	唐本奇		32	248	9.0	13.0
3	王祖军		22	178	7.0	12.0
4	刘敏波		22	147	8.0	10.0
5	肖志刚		29	227	8.0	13.0
6	张勇		23	200	8.0	12.0
7	黄绍艳		27	220	8.0	13.0
8	陈伟		95	286	8.0	11.0