用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究

• 作者: 俞慧强 修向前 刘斌 张荣 施毅 江若琏 谢自力 郑有炓 陈琳 韩平
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN DBR 紫外探测器 MOCVD
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 6717-6721
• 页数: 5页
• 分类号: TB3
• 字数: 3091字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.092

摘要

利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同工艺条件下的高质量AlGaN材料的制备.得到了无裂纹的全组分AlxGa1-xN(0＜x＜1)薄膜.通过XRD,SEM,AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对材料的结构质量、组分、厚度和表面形貌的影响.分析了不同生长工艺对AlGaN材料特性的影响.研制的高质量AlGaN材料在紫外探测器的DBR结构应用中得到比较好的特性.