一种新型全耗尽双栅MOSFET

• 作者: 刘德瑞 张国和 邵志标 韩彬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质栅 关态电流 亚阈值斜率 SOI场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1359-1363
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 619字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.09.006

摘要

提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem-4工艺模拟和Medici器件模拟验证表明,与普通双栅全耗尽SOI相比,该器件获得了更好的开态/关态电流比和亚阈值斜率.在0.18μm工艺下,开态/关态电流比约为1010,亚阈值斜率接近60mV/dec.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵志标	西安交通大学电子科学与技术系	42	180	9.0	10.0
2	张国和	西安交通大学电子科学与技术系	14	45	4.0	6.0
3	韩彬	西安交通大学电子科学与技术系	1	0	0.0	0.0
4	刘德瑞	西安交通大学电子科学与技术系	1	0	0.0	0.0