SOI技术问题和BSIM3SOIv1.3模型参数特点

• 作者: 孙锋 顾爱军
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: PD SOI 体效应 自加热效应 BSIM3SOI
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 31-34,38
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 3303字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2007.11.008

摘要

SOI器件具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等体硅器件不具备的优点,SOI CMOS技术开始用于深亚微米高速、低功耗、低电压大规模集成电路应用.但SOI技术还面临浮体效应、自加热效应等问题的挑战.作为SOI模型国际标准,BSIM3SOIv1.3提出了新的模型参数解决方案.BSIMPDSPICE器件模型是基于物理意义的模型,是在体硅MOS器件模型工业标准(BSIM3V3)的基础上开发而成,BSIMPD针对SOI固有的浮体效应引起的动态特性,自加热和体接触提出相应的模型参数.