利用C6H8O7/H2O2溶液对AlxGa1-xAs/GaAs的

• 作者: 倪海乔 朱彬 李文兵 杜云 杨晓红 韩勤
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 选择性腐蚀 GaAs牺牲层 MEMS
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 微机械加工技术
• 页码范围: 57-61
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 2912字
• 语种: 中文

摘要

针对MEMS(micro-electro-mechanical svstem)工艺中牺牲层的选择性腐蚀问题,提出了一种判断牺牲层是否完全腐蚀的新方法,解决了这一工艺难点.测定了C6H8O7/H2O2溶液对GaAs的腐蚀速率,并采用这种方法选择性腐蚀了一个带有GaAs牺牲层的DBR(distributed bragg reflector)结构,得到一个空气腔结构,结合GaAs的晶体结构,分析了GaAs的各向异性腐蚀特性,为实际MEMS器件的制作奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李文兵	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	14	259	7.0	14.0
2	韩勤	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	24	164	7.0	12.0
3	杨晓红	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	33	182	8.0	12.0
4	杜云	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	21	67	5.0	7.0
5	朱彬	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	9	79	5.0	8.0
6	倪海乔	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	1	1	1.0	1.0