反并联二极管对IGCT关断过程的影响

• 作者: 张婵 童亦斌
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: IGCT 集成门极 硬驱动 反并联二极管 反向恢复
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 125-129
• 页数: 5页
• 分类号: TN34
• 字数: 3222字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-6753.2007.11.022

摘要

IGCT是一种基于GTO结构并利用集成门极电路进行硬驱动控制的大功率半导体开关器件.在IGCT关断过程中,其门极换流有可能使反并联在IGCT两端的二极管因正向偏置而导通,从而对IGCT的关断过程产生显著的影响.本文从介绍IGCT工作原理入手,结合解释门极换流过程,对IGCT关断过程中反并联二极管的工作和由此产生的影响进行了分析,并通过实验结果对此进行了验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	童亦斌	北京交通大学新能源研究所	105	1650	21.0	38.0
2	张婵	北京交通大学新能源研究所	8	76	5.0	8.0