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摘要:
采用化学原位氧化聚合法制备了导电聚合物3, 4-聚乙烯二氧噻吩(PEDT)薄膜.系统研究了不同工艺条件对聚合物电导率的影响.发现单体与氧化剂体积比为1∶4、溶剂含量90%(体积分数)、加入聚合改良剂0.5%(体积分数)、反应温度-5℃时可以获得较高电导率(>20 S/cm)薄膜.首次结合元素分析法,研究了工艺条件对聚合物相对分子质量的影响,结果表明,聚合温度25℃,ψ(单体:氧化剂:聚合改良剂)=1∶4∶2的条件下,所合成的PEDT可获得最大平均相对分子质量(1 068)和聚合度(7.6),并对相应的机理进行了探讨.
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文献信息
篇名 聚合条件对PEDT导电性及相对分子质量的影响
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 电子技术 PEDT 导电聚合物 电导率 平均相对分子质量
年,卷(期) 2007,(10) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 21-24
页数 4页 分类号 TN604
字数 3636字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.10.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐建华 51 334 10.0 15.0
2 熊平 18 133 6.0 11.0
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电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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16
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31758
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