提拉法Ti:LiAlO2晶体的生长、缺陷及N2退火研究

• 作者: 周健华 周圣明 林辉 王军 邹军 黄涛华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ti:LiAlO2 化学腐蚀 N2退火
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 1249-1252,1248
• 页数: 5页
• 分类号: O781
• 字数: 2330字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.06.009

摘要

本文采用提拉法成功地生长了钛掺杂浓度为0.1%原子分数的LiAlO2单晶体,借助光学显微镜,结合化学腐蚀法,对Ti:LiAlO2晶体(100)面空气退火前后的缺陷特征进行了研究,用AFM观测了(100)面晶片在不同温度下流动N2气氛退火过的表面形貌.结果表明:Ti:LiAlO2晶体(100)面的位错腐蚀坑是底面为平行四边形的锥形坑,位错密度约为5.0×104cm-2,900℃空气退火后晶片表面的位错腐蚀坑变大;Nz退火能显著影响晶片的表面形貌,当退火温度为900℃时,晶片的均方根粗糙度(RMs)达到最低值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周圣明	中国科学院上海光学精密机械研究所	48	298	9.0	16.0
2	邹军	中国科学院上海光学精密机械研究所	14	71	5.0	7.0
6	黄涛华	中国科学院上海光学精密机械研究所	7	37	3.0	6.0
10	林辉	中国科学院上海光学精密机械研究所	25	276	11.0	16.0
14	周健华	中国科学院上海光学精密机械研究所	2	6	2.0	2.0