直流磁控溅射ITO薄膜的正交试验分析

• 作者: 张有润 杨刚 林慧 王军 蒋亚东
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜 氧化铟锡 正交试验法 直流磁控溅射
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 68-71,75
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.92
• 字数: 3730字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.01.019

摘要

利用直流磁控溅射系统制备ITO薄膜,采用正交试验表格L32(48)安排试验.测试了薄膜的方阻和透过率,分析了8个工艺参数对薄膜电光特性的影响,其中沉积气压、氩氧流量比和退火温度的影响最大.分析得到优化工艺参数为:沉积气压2×133.322 4 mPa、氩氧流量比16∶0.5、退火温度427 ℃、靶基间距15、退火时间1 h、溅射功率300 W、退火氛围为真空、沉积温度227 ℃.在此工艺参数下制备的ITO薄膜方阻为17 Ω/□,电阻率为1.87×10-4Ω·cm,在可见光区域平均透过率为85.13%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋亚东	电子科技大学光电信息学院	318	2024	18.0	25.0
2	王军	电子科技大学光电信息学院	115	936	14.0	26.0
3	杨刚	电子科技大学光电信息学院	34	253	10.0	14.0
4	林慧	电子科技大学光电信息学院	23	128	7.0	10.0
5	张有润	电子科技大学光电信息学院	10	167	3.0	10.0