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Cree新厂投产SiC和GaN先进电子器件
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摘要：
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GaN微电子器件的研究进展
GaN
GaN材科
GaN器件
电子器件发热与冷却技术
电子器件
发热
热管理
冷却技术
真空电子器件的失效模式及原因分析
真空电子器件
失效模式
失效原因
现代电力电子器件的发展
电力电子器件
SiC器件
发展
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
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(/年)
文献信息
| 篇名 | Cree新厂投产SiC和GaN先进电子器件 | ||
| 来源期刊 | 半导体信息 | 学科 | 经济 |
| 关键词 | CREE GAN SIC 市场研究公司 生产厂房 卡罗莱纳 基础结构 美国国防部 无线通信 | ||
| 年，卷（期） | bdtxx_2007,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 16-16 | |
| 页数 | 1页 | 分类号 | F416.63 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
CREE
GAN
SIC
市场研究公司
生产厂房
卡罗莱纳
基础结构
美国国防部
无线通信
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
16开
出版地：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东
邮发代号：
创刊时间：
1990
语种：
chi
出版文献量（篇）
5953
总下载数（次）
11
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