X射线衍射仪在研究砷化镓缺陷中的应用

• 作者: 刘彩池 刘红艳 徐岳生 王海云
• 来源期刊: 现代仪器与医疗
• 关键词: X射线衍射仪 异常透射 小角度晶界 胞状结构
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 分析测试
• 页码范围: 60-62
• 页数: 3页
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7916.2007.04.024

摘要

本文采用X射线衍射仪(XRD),通过异常透射对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)的形貌及缺陷进行研究.在没有特殊工艺措施的情况下,LEC法生产的SI-GaAs单晶片的周边区域,都存在有高密度位错的相互作用、割阶和缠绕的产物-胞状结构.X射线形貌技术可以显示SI-GaAs中的高密度位错的结构与分布,从而评估其质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
2	徐岳生	河北工业大学信息功能材料研究所	21	163	7.0	12.0
3	王海云	河北工业大学信息功能材料研究所	16	86	5.0	8.0
4	刘红艳	河北工业大学信息功能材料研究所	3	4	1.0	2.0