CMOS电路中的闩锁效应研究

• 作者: 牛征
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 闩锁效应 寄生双极晶体管 集总器件模型 版图设计
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 24-27
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2029字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2007.03.007

摘要

闩锁效应是功率集成电路中普遍存在的问题.文中分析了CMOS结构中的闩锁效应的起因,提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型,给出了产生闩锁效应的必要条件,列举了闩锁效应的几种测试方法.最后,介绍了避免发生闩锁效应的几种方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛征		2	36	2.0	2.0