Mo/4H-SiC肖特基势垒二极管的研制

• 作者: 张发生 李欣然
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC Mo 肖特基二极管
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 435-438
• 页数: 4页
• 分类号: TM31
• 字数: 2423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.03.022

摘要

采用微电子平面工艺,射频溅射Mo作肖特基接触,电子束热蒸发金属Ni作欧姆接触,三级场限环终端表面保护.并通过对Mo接触进行合理的高温退火,不降低理想因子和反向耐压特性情况下,有效控制肖特基势垒高度在1.2～1.3 eV范围内,成功研制出高耐压低损耗Mo/4H-SiC肖特基势垒二极管.其特性测试结果为:击穿电压Vb为3000V,串联导通电阻Ron为9.2mΩ·cm2,Vb2/Ron为978MW/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李欣然	湖南大学电气与信息工程学院	232	4917	41.0	61.0
2	张发生	湖南大学电气与信息工程学院	13	49	5.0	6.0