Tl系超导薄膜金属涂层的生长与特性研究

• 作者: 何明 季鲁 方兰 李永刚 赵新杰 阎少林
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Tl-2212 RABTiS 缓冲层 YSZ CeO2
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 18-20
• 页数: 3页
• 分类号: O51
• 字数: 1991字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2007.01.004

摘要

我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD 实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的C轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8 K,Jc(77 K,0 T)达到2.6 MA/cm2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜Tc可达97.7 K,Jc(77 K,0 T)也可以达到0.45 MA/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵新杰	南开大学电子科学系	52	116	6.0	7.0
2	方兰	南开大学电子科学系	47	115	6.0	6.0
3	阎少林	南开大学电子科学系	53	137	6.0	7.0
4	李永刚	南开大学电子科学系	7	28	3.0	5.0
5	何明	南开大学电子科学系	43	86	5.0	6.0
6	季鲁	南开大学电子科学系	22	38	3.0	5.0