深亚微米SRAM存储单元静态噪声容限研究

• 作者: 于宗光 施亮 高宁
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米 静态随机存储器 静态噪声容限
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 22-24
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 1786字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2007.05.007

摘要

文章对深亚微米条件下的SRAM存储单元的静态噪声容限进行了详细的理论分析.并在此基础上分析考虑了各种因素对静态噪声容限的影响,并利用Hspice软件进行了仿真.仿真结果显示,理论分析的结果与实际相吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光	江南大学信息工程学院	89	354	9.0	14.0
5	高宁	江南大学信息工程学院	7	57	5.0	7.0
6	施亮	江南大学信息工程学院	8	61	4.0	7.0