用改进算法提取GaN HEMT小信号等效电路模型

• 作者: 尤焕成 朱磊 金香菊
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HEMT 小信号等效电路模型 模拟退火算法 参数提取 Matlab
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 120-124
• 页数: 5页
• 分类号: TN302
• 字数: 3495字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.03.003

摘要

基于GaN HEMT小信号等效电路模型参数的提取,针对扰动机制、退火方式、记忆功能、回火机制等关键点,提出了一种改进的模拟退火算法.用Matlab仿真工具实验证明,在5～15 GHz之间基于S参数测试数据,选取16个频率参考点,利用改进算法返回等效电路的13个参数,与测试数据有良好的一致性,是一种快速的全局优化算法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金香菊	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	10	2.0	2.0
2	朱磊	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	15	3.0	3.0
3	尤焕成	电子科技大学微电子与固体电子学院	5	32	4.0	5.0