GaN体单晶生长技术研究现状

• 作者: 徐永宽
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 体单晶 生长方法 气相外延 升华法 助溶剂法 氨热法
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 101-105
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2995字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.02.003

摘要

回顾了GaN体单晶材料的发展历程并介绍了研究现状.主要讨论了HVPE法和气相传输法等气相生长方法,以及HNPSG、助溶剂法、氨热法、提拉法等熔体生长方法.针对每种生长方法,阐述了其生长原理、特点及研究现状.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐永宽	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	57	4.0	6.0