纤锌矿n-GaN室温补偿度解析模型

• 作者: 何菊生 唐建成 张萌 许彪
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 补偿度 GaN 电子迁移率 霍耳迁移率 补偿受主
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1041-1047
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3844字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.008

摘要

用数值方法将室温n型GaN补偿度θ表示为Caughey-Thomas解析模型函数.对大多数非故意掺杂样品,该模型值θChin与Chin等人的理论值及普遍采用的变温霍耳测量拟合值比较表明,三者具有较好的一致性.对掺Si样品及有氧或Si污染的非故意掺杂样品,基于Chin理论的补偿度值与普遍采用的实验拟合值常有一定偏差,通过理论计算及数值方法,得到了掺硅GaN补偿度的解析模型函数θSi,在室温载流子浓度3×1016～1018 cm-3范围内,该模型值与普遍采用的实验拟合值符合得较好,与基于Chin理论的补偿度θChin也有很好的相容性.该模型对GaN材料分析及器件的计算机模拟、器件仿真有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张萌	南昌大学材料科学与工程学院	69	569	12.0	20.0
2	唐建成	南昌大学材料科学与工程学院	50	211	10.0	12.0
3	许彪	南昌大学材料科学与工程学院	8	63	4.0	7.0
4	何菊生	南昌大学材料科学与工程学院	5	48	2.0	5.0