半导体桥点火器的设计与研究

• 作者: 任炜 刘举鹏 周智
• 来源期刊: 火工品
• 关键词: 半导体桥 点火器 性能 等离子体
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 43-46
• 页数: 4页
• 分类号: TJ450.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-1480.2007.06.012

摘要

设计了两种半导体桥,对其发火能量进行估算,利用原子发射光谱双谱线法对其等离子体的温度进行测试;采用这两种半导体桥,设计得到两种不同性能的半导体桥点火器,对两种点火器进行不发火试验、发火试验以及作用时间测定.结果表明:1Ω半导体桥满足1A、1W、5min不发火要求,在28μF、27V的发火条件下,平均作用时间为363μs;3Ω半导体桥满足0.6A、1W、5min不发火要求,在28μF、50V发火条件下,平均作用时间为147μs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘举鹏		10	42	4.0	6.0
2	任炜		2	19	2.0	2.0
3	周智		2	15	2.0	2.0