氮化铝薄膜的制备及介电性能研究

• 作者: 傅仁利 杨克涛
• 来源期刊: 山东陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: 直流磁控反应溅射 AlN薄膜 介电性能 蠕虫状
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 科学实验
• 页码范围: 7-13
• 页数: 7页
• 分类号: TB43
• 字数: 4088字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-0639.2007.03.002

摘要

采用直流磁控反应溅射的方法在金属铝基板表面沉积AlN薄膜.通过XRD、SEM对绝缘膜层进行了研究分析,并测试了膜层的介电性能.结果表明:在靶基距和溅射功率分别为5cm、150W,衬底温度在室温25℃～300℃内制备的AlN薄膜为六方晶型,沿c轴平行于衬底表面的(100)和(110)晶面生长.AlN薄膜表面有很多蠕虫状形态的晶粒随机地分布在膜平面内,这可能是200 ℃的衬底温度下AlN薄膜介电性能较好的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅仁利	南京航空航天大学材料学院	55	577	15.0	21.0
2	杨克涛		6	75	5.0	6.0