Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布

• 作者: 修向前 夏冬梅 张荣 施毅 朱顺明 梅琴 王琦 王荣华 谢自力 郑有炓 陈刚 韩平 顾书林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相淀积 Si1-xGex:C缓冲层 载流子
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 111-114
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2228字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.025

摘要

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGex:C缓冲层总体呈p型导电,存在一局域n型导电区,本文对其导电分布特性进行了分析研究.