Trench MOSFET的研究与进展

• 作者: 刘英坤 苏延芬
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: Trench金属氧化物场效应晶体管 比导通电阻 击穿电压 元胞面积 箱型掺杂
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 277-280,292
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2490字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.04.001

摘要

研究总结了功率MOSFET器件与BJT器件相比的发展优势.介绍了作为VDMOSFET进一步发展的新型器件Trench MOSFET研究提出的背景及意义,并从其基本结构出发阐述了TrenchMOSFET与VDMOS相比的电学性能特点.最后对其发展现状,关键技术和结构参数及其发展趋势进行了概括、总结和展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏延芬	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	39	2.0	6.0
2	刘英坤	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	183	8.0	12.0