工艺参数对TVS器件电性能的影响

• 作者: 孙树梅 曾祥斌 肖敏 袁德成
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体元器件 工艺参数/瞬变电压抑制二极管
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 93-95
• 页数: 3页
• 分类号: TN31/387
• 字数: 2190字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2007.06.034

摘要

采用液态源扩散法制备了双向型瞬变电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor Diode,简称TVS)器件.研究了扩散温度、扩散时间、电阻率、钝化保护等工艺参数对TVS器件电性能的影响.扩散温度、扩散时间的增加将使扩散结的结深增加;电阻率的提高及结深的增加,将使TVS器件的雪崩击穿电压增大;合适的钝化保护方法将有助于减小器件的反向漏电流.给出了电压和扩散时间之间的经验估算公式,该公式可用来指导得到希望的TVS目标电压档.据验算,该公式的误差在10%以内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖敏		52	193	6.0	12.0
2	曾祥斌		45	285	10.0	14.0
3	袁德成		3	30	3.0	3.0
4	孙树梅		3	30	3.0	3.0