半导体一氧化碳敏感材料研究进展

• 作者: 刘玉洁 吴展 熊力
• 来源期刊: 气象水文海洋仪器
• 关键词: 一氧化碳敏感材料 SnO2 TiO2 半导体材料研究进展
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 探讨
• 页码范围: 57-59
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.92
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-009X.2007.04.016

摘要

金属氧化物半导体由于具有耐热、耐腐蚀、成本低廉等特点,常用于制作气体传感器的敏感元件.本文简要介绍了SnO2半导体材料、TiO2半导体材料作为一氧化碳敏感材料的最新研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊力	大连工业大学信息工程学院	14	87	6.0	9.0
2	刘玉洁	大连工业大学信息工程学院	6	7	1.0	2.0
3	吴展		6	21	3.0	4.0