氢化物气相外延氮化镓衬底的制备研究

• 作者: 张维连 李养贤 陈洪建 陈贵峰
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓(GaN) 氢化物汽相外延(HVPE) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 自支撑氮化镓(FS GaN)
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 87-90
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3142字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.020

摘要

目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等.各种技术包括缓冲层、外延横向生长技术、悬挂外延技术等是目前最重要的制备氮化镓技术.氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓衬底最有希望的方法之一.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了氮化镓体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延原理,分析了HVPE制备自支撑(FS)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张维连	河北工业大学信息功能材料研究所	27	203	9.0	13.0
2	陈洪建	河北工业大学信息功能材料研究所	19	242	8.0	15.0
3	陈贵峰	河北工业大学信息功能材料研究所	4	61	3.0	4.0
4	李养贤	河北工业大学信息功能材料研究所	51	362	12.0	17.0