Si取代对BiNbO4烧结及微波介电性能的影响

• 作者: 丁士华 姚熹 张良莹 杨同青 林易州
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 BiNbO4 微波介质陶瓷 掺杂 介电性能
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TM24
• 字数: 1957字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.06.014

摘要

采用传统固相反应法制备样品,研究了SiO2掺杂对BiNbO4烧结特性、微观结构、介电性能的影响.利用HP8753E网络分析仪测试样品微波性能.实验结果表明,Si取代后样品逐渐出现了三斜相,随着Si取代量的增加,BiNbO4陶瓷的烧结温度升高,晶粒变大、形状变不规则、样品Q值减小、谐振频率温度系数由正值向负值转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚熹	同济大学功能材料研究所	123	956	16.0	21.0
2	丁士华	同济大学功能材料研究所	15	66	5.0	7.0
3	张良莹	同济大学功能材料研究所	81	658	13.0	19.0
4	杨同青	同济大学功能材料研究所	14	72	5.0	8.0
5	林易州	同济大学功能材料研究所	1	0	0.0	0.0