AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究

• 作者: 严地 卢盛辉 周伟 杨谟华 罗大为 罗谦 靳翀
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铝镓氮 氮化镓 高电子迁移率晶体管 电场 受主陷阱
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 226-229
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2468字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.03.012

摘要

通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响.研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减.当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×10(17)cm-3时,栅端电场峰值与不加受主陷阱时相比可下降到56%.受陷阱电荷影响,当击穿电压大于某个电压时,漏端电场峰值超过栅端电场峰值,此时,击穿发生在漏端.该仿真结果修正了HEMT击穿总发生在栅端边缘处的传统看法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨谟华	电子科技大学微电子学与固体电子学学院	58	278	8.0	11.0
2	靳翀	电子科技大学微电子学与固体电子学学院	9	23	3.0	4.0
3	罗谦	电子科技大学微电子学与固体电子学学院	19	63	5.0	6.0
4	周伟	电子科技大学微电子学与固体电子学学院	18	50	5.0	6.0
5	卢盛辉	电子科技大学微电子学与固体电子学学院	8	13	2.0	3.0
6	罗大为	电子科技大学微电子学与固体电子学学院	3	3	1.0	1.0
7	严地	电子科技大学微电子学与固体电子学学院	1	3	1.0	1.0