TiO2/n-Si/p-Si及n-PS/p-PS/Si的光伏特性

• 作者: 向梅 涂楚辙 贾振红
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: n-PS/p-PS/Si TiO2/n-Si/p-Si n-Si/p-Si 光伏效应
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 218-220
• 页数: 3页
• 分类号: O475
• 字数: 2227字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.02.017

摘要

在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS).用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性.结果表明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效应比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高.在300～600 ℃热处理温度范围内TiO2/n-Si/p-Si的光伏效应随温度的升高而增强,600～800 ℃范围内随温度的升高而降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾振红	新疆大学信息科学与工程学院	286	1621	18.0	28.0
2	涂楚辙	新疆大学物理科学与技术学院	16	46	4.0	6.0
3	向梅	新疆大学物理科学与技术学院	3	8	1.0	2.0