一种适合射频功率放大器应用的图形化SOI LDMOSFET新结构

• 作者: 刘军 孙玲玲 李文钧
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 图形化SOI LDMOSFET SIMOX 射频功率放大器
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 480-483
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 337字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.002

摘要

设计并制备了一种新颖的在栅下开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET.该器件具有良好的直流和射频特性:输出曲线平滑,没有明显翘曲(kink)效应;静态击穿电压为13V;在栅漏偏压为3.6V时,截至频率为6GHz.负载牵引测试表明,该器件在1.5GHz时,PAE为50%,输出功率为27dBm,表明该器件适合射频功率放大器的应用.