非晶态碲镉汞薄膜的射频磁控溅射生长及其晶化过程研究

• 作者: 姬荣斌 孔令德 孔金丞 张鹏举 李竑志 李雄军 王善力 赵俊
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶态碲镉汞 射频磁控溅射 晶化
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 559-562
• 页数: 4页
• 分类号: TN213
• 字数: 2893字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.10.001

摘要

在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞(a-HgCdTe或a-MCT)薄膜的低温生长,获得了射频磁控溅射生长a-HgCdTe薄膜的"生长窗口".利用X射线衍射(XRD)技术对所生长的薄膜进行分析研究,a-HgCdTe薄膜的XRD衍射为典型的非晶衍射波包.椭圆偏振光谱研究结果表明,a-HgCdTe薄膜与晶态HgCdTe薄膜的折射率和消光系数均表现出明显的差异,椭圆偏振光谱技术可以作为一种非晶态半导体的结构判定手段.在90℃-215℃范围内对非晶态碲镉汞薄膜进行了真空退火处理研究其晶化过程,其晶化温度在130℃～140℃之间.