LDMOS开关在不同频率下的热安全工作

• 作者: 李梅芝 陈星弼
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热安全工作 最高温度 开关频率
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 938-942
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3476字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.023

摘要

研究了LDMOS器件内部的最高温度与开关频率之间的关系.结果表明:在较高频率工作时,器件内部的最高温度与器件的热容、功耗、占空比和连续工作时间有关,而与器件的热阻和信号周期无关,器件会一直处于升温状态;在较低频率工作时,器件内部的最高温度还与器件的热阻和周期有关.所得结果可作为功率器件在各种频率下工作时热安全工作的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈星弼	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	31	254	8.0	15.0
2	李梅芝	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	16	2.0	4.0