AlInGaN量子阱垒层材料的优化

• 作者: 刘德明 文锋 黄黎蓉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlInGaN 极化电场 自发发射谱 垒材料
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 893-897
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 3470字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.015

摘要

采用k·p方法理论,考虑了极化电场和自由载流子重新分布等因素,通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解得到InGaN/AlInGaN,InGaN/GaN,InGaN/InGaN,InGaN/AlGaN量子阱导带和价带的能带结构,并由此计算了不同量子阱结构的自发发射谱.分析对比发现AlInGaN材料特有的自发极化和压电极化效应在阱垒界面处形成的极化电荷对量子阱发光特性有重要的影响.以AlInGaN为垒,优化其中各元素的组分可以减小极化电场的影响,提高量子阱自发发射谱强度.同时,综合考虑了极化电荷和势垒高度的影响,提出了具体的优化方法,并给予了物理解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘德明	华中科技大学光电子科学与工程学院	236	1645	17.0	27.0
2	黄黎蓉	华中科技大学武汉光电国家实验室	16	78	6.0	7.0
3	文锋	华中科技大学光电子科学与工程学院	4	16	2.0	4.0